조 바이든 美 대통령 방한, 삼성전자 평택공장 첫 일정… 세계 최초 3나노 반도체 기술 선보일까?

삼성전자 평택캠퍼스 | 출처 – 삼성전자

한-미 정상회담을 위해 20일부터 방한 일정을 시작하는 조 바이든 미국 대통령이 한국에 도착하자마자 곧바로 평택 삼성전자 반도체 공장을 방문한다. 이에 삼성전자는 귀빈 대접 준비로 분주한 움직임을 보이고 있다.

취임 후 첫 아시아 순방을 시작한 바이든 대통령은 일본이 아닌 한국을 첫 방문지로 선택해, 20일부터 2박 3일 일정으로 한국을 방문한다. 첫날 오후 세계 최대 규모인 삼성전자 평택 캠퍼스를 찾을 예정이며, 미국 대통령으로서는 첫 방문이다.

이번 바이든 대통령의 시찰에는 이재용 삼성전자 부회장도 동행할 것으로 예상된다. 이 부회장은 본래 삼성물산-제일모직 부당합병 혐의로 서울중앙지법에서 재판이 예정되어 있었으나, 긴급상황 발생으로 출석이 어렵다는 의견서를 제출해 재판부로부터 불출석 허가를 받았다.

평택 캠퍼스는 삼성전자의 차세대 반도체 핵심기지로, 부지 면적이 축구 경기장 400개를 합친 규모인 289만㎡(약 87만 평 규모)에 달한다. 또한 D램 및 낸드플래시 등 차세대 메모리와 초미세 파운드리 제품까지 생산하는 첨단 복합 라인으로 구성돼있다.

평택 1라인(메모리 생산 라인)과 2라인(메모리·파운드리 생산 라인)은 완공 당시 단일 기준 각각 세계 최대 규모를 자랑하는 공장이다. 더불어 현재 건설 중인 공장의 3라인은 앞선 두 공장보다 규모를 키워 세계 최대 규모 기록을 경신할 예정이다.

이 자리에서 삼성전자는 바이든 대통령에게 세계 최초 3nm 공정의 차세대 반도체를 선보일 예정이다. 이는 차세대 공정 기술인 ‘GAA(Gate All Around)’를 기반으로 하며, 기존 핀펫(FinFET) 구조보다 전력 효율을 높일 수 있는 공정으로 주목받고 있다. 때문에 업계에선 3nm 미만의 초미세 공정으로 전환을 위해선 필수적이라는 평가가 따른다.

삼성전자 평택 캠퍼스 방문은 한-미 양국이 이번 정상회담의 핵심 의제가 될 것으로 예측되는 반도체 협력과 밀접한 관련이 있다. 바이든 행정부는 반도체를 비롯한 첨단산업에서 중국 의존도를 낮추고, 동맹국 중심의 공급망 재편과 자국 내 제조시설 확충을 추진해오고 있기 때문이다.

그 가운데, 한국과 대만은 미국의 주요 반도체 공급처이자 협력 파트너로 꼽힌다. 한국 역시 반도체 생산을 위해 필요한 장비 중 약 40~50%를 미국에서 수입하고 있다. 그 때문에 바이든 대통령의 행보는 한-미 양국의 반도체 동반자 관계를 공고히 하기 위한 움직임으로 분석된다.

특히 삼성전자는 올해 상반기 중 미국 텍사스주 테일러시에 20조 원 규모의 파운드리 2공장 착공에 돌입한다. 미국 정부로서는 삼성전자를 최대 해외 투자자로 간주할 수밖에 없는 상황이다. 앞서 바이든 대통령은 취임 직후인 지난해 4월 백악관에서 삼성전자를 비롯한 주요 업계 대표들이 참석한 회의를 소집, 미국에 대한 투자를 역설한 바 있다.

이어 같은 해 5월 한-미 정상회담 전날 반도체 회의에 다시 삼성전자를 포함시켰고, 10월부터 계속된 공급망 대책회의에도 외국 기업으로는 유일하게 삼성전자를 대상에 포함했다.

이러한 행보에 따라 삼성전자를 비롯한 국내 반도체 관련 업계 전반에도 수혜가 따를 것으로 보인다. 우크라이나-러시아 전쟁과 ‘제로 코로나’ 정책에 따른 중국 내 잇따른 폐쇄조치로 반도체 공급난이 전 세계적으로 심화되는 가운데, 수요 상승과 시장 규모 확대가 점쳐지는 반도체는 미래 경쟁력을 좌우하는 국가 핵심 산업 자산으로 평가받고 있기 때문이다.

한편, 바이든 대통령은 경기도 평택 소재 주한미군기지 ‘캠프 험프리스’에도 함께 방문할 가능성이 큰 것으로 알려졌다. 다만 북한이 최근까지 무력 도발을 단행한 데 이어 7차 핵실험을 진행할 가능성도 감지되고 있어 경호 문제 등이 변수로 작용할 것으로 보인다.