삼성전자, 8월 출시 앞둔 차세대 폴더블 ‘갤럭시 Z 플립 4’ 벤치마크 점수 포착!… AP 발열 문제 해결 성공할까?

갤럭시 Z 플립 4 예상 렌더링 이미지 | 출처 – 91Mobiles

삼성전자가 오는 8월 선보일 스마트폰 ‘갤럭시 Z 플립 4’의 벤치마크가 포착되었다. 정식 공개까지 약 3개월의 시간이 남아 있는 시점이지만, 꽤 이른 시기부터 성능 및 스펙에 대한 정보가 드러나고 있다.

지난 19일(현지 시각), ‘GSMAreana’를 비롯한 외신들은 삼성전자의 차세대 폴더블 스마트폰 갤럭시 Z 플립 4로 추정되는 기기의 벤치마크 성능 정보를 공개했다. 공개된 정보에 따르면 갤럭시 Z 플립 4의 시리얼 넘버는 ‘SM-F721U’이며, 퀄컴의 차세대 AP(애플리케이션 프로세서) 스냅드래곤 8 Gen 1 Plus를 탑재했다.

스냅드래곤 8 Gen 1 Plus는 3.19Ghz의 클럭 속도를 자랑하는 ARM 기반 Cortex-X2 싱글 코어로 빅 클러스터를 구성하고, 2.75Ghz 클럭의 3개 미들코어와 Cortex-A710, 1.8Ghz 클럭의 4개 리틀코어를 갖출 예정이다. 이는 갤럭시 S22 시리즈를 비롯해 올해 상반기 플래그십 스마트폰 다수에 탑재됐던 스냅드래곤 8 Gen 1의 업그레이드 버전이다.

퀄컴의 차세대 AP를 탑재한 SM-F721U의 벤치마크 점수는 긱벤치 5.4.4 버전을 기준으로 싱글코어 1,277점, 멀티코어 3,652점의 점수를 기록했다. 지난해 삼성전자가 출시했던 갤럭시 Z 플립 3의 점수(싱글코어 1.059점, 멀티코어 3,290점)보다 대략 10% 이상 향상된 수치이며, 갤럭시 S22 울트라의 점수(싱글코어 1,240점, 멀티코어 3,392점)와 비교하면 멀티코어 성능에서 소폭 향상을 이뤘다.

이렇듯 향상된 성능 정보는 소비자들에게 반가운 소식이지만, 삼성전자가 기존의 발열 문제를 어떻게 개선했는지가 또 다른 관건이다. 삼성전자는 지난 2월 출시한 갤럭시 S22 시리즈의 미비한 방열 설비를 문제로 홍역을 앓은 바 있다. 스냅드래곤 8 Gen 1의 태생적인 발열 문제를 해소하기 위해 GOS(Game Optimizing Service)로 스마트폰 성능을 제한했다는 사실이 드러나 논란을 빚은 것이다.

퀄컴이 스냅드래곤 8 Gen 1 Plus의 위탁 생산을 대만 TSMC에 일임한 것도 이러한 문제를 의식했기 때문으로 분석된다. 퀄컴은 지난해부터 스냅드래곤 4시리즈 및 스냅드래곤 888, 그리고 올해 출시한 스냅드래곤 8 Gen 1을 삼성 파운드리와 전량 계약을 맺어 시장에 공급해왔다. 그러나 이 AP들에 대해 다수의 발열 문제가 보고되었고, 그 원인으로 삼성 파운드리의 낮은 수율이 지적된 바 있다. 항간에 따르면 삼성 파운드리 4나노 공정의 수율은 30~35% 수준에 불과한 것으로 추측되었다.

유명 IT 팁스터 ‘아이스유니버스’는 이에 대해 “TSMC 4나노 공정으로 제작된 새 AP는 갤럭시 팬들이 안도의 한숨을 쉴 수 있도록 할 것”이라며, “전력 소비와 성능 측면에서 삼성전자의 4나노 공정보다 우월할 것”이라고 설명했다.

이러한 배경 탓에 삼성전자는 갤럭시 Z 플립 4를 통해 성능 향상과 발열 문제 개선을 실현하더라도 마냥 웃을 수만은 없는 입장이 되었다. 스마트폰을 총괄하는 MX(Mobile Experience) 사업부에는 호재가 되겠지만, 자칫 파운드리 사업부의 기술력에 대한 의구심이 짙어질 수도 있기 때문이다.

한편, 해당 소식을 전한 GSMArena는 “3C 데이터베이스(ISDC에 따르면, 갤럭시 Z 플립 4의 정격 배터리 용량은 3,595mAh로 등록됐다. 이는 2,555mAh(EB-BF723ABY)와 1,040mAh(EB-BF724ABY)의 이중 배터리 셀을 포함한 수치다”라며, “실제 배터리 용량이 어떨지는 더 두고 봐야겠지만, 전작인 갤럭시 Z 플립 3의 사용 시간이 워낙 짧았기 때문에 더 큰 배터리의 탑재는 환영할 만한 일이다.”라고 덧붙였다.